Dipl.-Ing. Steffen Lehmann

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Forschungsschwerpunkte:	Physikalisch basierte Kompaktmodellierung von Hetero-Bipolartransistoren für HF-Anwendungen -Hierarchien für Kompaktmodelle -Geometrieskalierung -Temperaturverhalten -Betrieb unter extremen Arbeitsbedingungen Methoden zur on-wafer Großsignal-Charakterisierung von Bauelementen bei hohen Frequenzen
Publikationen:	[8] S. Lehmann, M. Weiss, Y. Zimmermann, A. Pawlak, K. Aufinger, M. Schroter "Scalable Compact Modeling for SiGe HBTs suitable for Microwave Radar Applications", IEEE SiRF, Phoenix (AZ), pp. 113-116, 2011. [7] M. Schroter, J. Krause, S. Lehmann, D. Celi, "Compact Layout and Bias-Dependent Base-Resistance Modeling for Advanced SiGe HBTs", IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 55, pp. 1693-1701, 2008. [6] S. Lehmann, M. Schroter, "Improved layout dependent modeling of the base resistance in advanced HBTs", Proc. of WCM, International NanoTech Meeting, Santa Clara, pp. 603-608, 2008. [5] M. Schroter, S. Lehmann, D. Celi, "Non-standard geometry scaling effects in high-frequency SiGe bipolar transistors", Proc. of WCM, International NanoTech Meeting, Santa Clara, pp. 603-608, 2007. [4] M. Schroter and S. Lehmann, "The rectangular bipolar transistor tetrode structure and its application", IEEE ICMTS, Tokyo, pp. 1397-1402, 2007. [3] M. Schroter, S. Lehmann, S. Fregonese, T. Zimmer, "A computationally efficient physics-based compact bipolar transistor model for circuit design - Part I: model formulation", IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 53, pp. 279-286, 2006. [2] S. Fregonese, S. Lehmann, T. Zimmer, M. Schroter, D. Céli, B. Ardouin, H. Beckrich, P. Brenner, W. Kraus, "A computationally efficient physics-based compact bipolar transistor model for circuit design - Part II: Parameter extraction and experimental results", IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 53, pp. 287-295, 2006. [1] M. Schroter, S. Lehmann, H. Jiang and S. Komarow, "HICUM/Level0 - a simplified compact bipolar transistor model", IEEE BCTM, Monterey (CA), pp. 112-115, 2002.
Betreute Studien- und Diplomarbeiten:	[12] S. Shou, "Limits of the simplified HBT compact model HICUM/L0 in applications", Studienarbeit (in Englisch), 2011 [11] T. Nardmann, "Evaluierung des Kompaktmodells HICUM für InGaAs/InP Heterobipolartransistoren", Diplomarbeit (in Englisch), 2010 [10] T. Keßler, "Modellierung des elektrothermischen Verhaltens von modernen Heterostruktur-Bipolartransistoren", Diplomarbeit (in Englisch), 2010 [9] M. Weiß, "Modellierung von Heterobipolartransistoren im nichtlinearen Betrieb", Diplomarbeit (in Englisch), 2010 [8] L. Vorhauser, "Methoden zur Bestimmung der Eigenerwärmung von HBTs", Studienarbeit, 2010 [7] M. Weiß, "Evaluierung des Kompaktmodells HICUM für HF-Großsignalanwendungen", Studienarbeit (in Englisch), 2008 [6] M. Bölter, "Investigation of avalanche modeling for advanced bipolar technologies", Studienarbeit (in Englisch), 2008 [5] T. Keßler, "Untersuchung der Generalized Integrated Charge Control Relation für verschiedene SiGe HBT Technologien", Studienarbeit, 2008 [4] J. Krause, "Modeling of bipolar transistors for power amplifier applications at high frequencies", Diplomarbeit (in Englisch), 2008 [3] A. Pawlak, "Betrachtung eines Modells für das elektrische Feld am BC-Übergang unter Berücksichtigung verschiedener Transistortechnologien", Studienarbeit, 2007 [2] J. Krause, "Geometry dependent base resistance modeling for advanced SiGe HBT technologies", Studienarbeit (in Englisch), 2007 [1] W. Schönberger, "Numerische Simulation von SOI SiGe-HBTs mit konventioneller Emitterdotierung", Studienarbeit, 2006
S. Lehmann 1. Juli 2009